机译:使用n型无应变和应变FINFET实现的MOSFET-C滤波器的2-MOS结构的谐波失真
LSI/PSl/USP, University of Sao Paulo, Av. Professor Luciano Cualberto, trav. 3, n. 158, CEP 05508-900 Sao Paulo, Brazil;
lmec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
lmec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium,E.E. Dept., KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 10, B-3001 Leuven, Belgium;
LSI/PSl/USP, University of Sao Paulo, Av. Professor Luciano Cualberto, trav. 3, n. 158, CEP 05508-900 Sao Paulo, Brazil;
Centra Universitdrio da FEI, Departamento de Engenharia Eletrica, Sao Bernardo do Campo, Brazil;
silicon-on-insulator; finfet; biaxial strain; analog operation; balanced structures; harmonic distortion;
机译:在饱和条件下工作的未应变和应变FinFET的谐波失真
机译:轨道相互作用和活化菌株(变形能)对应变和非近型环烯添加的正常和反逆电子环加成中的反应性的作用
机译:具有正电子和反电子需求的二烯的应变和非应变环烯烃的Diels-Alder反应性:激活壁垒和畸变/相互作用分析
机译:用于2-MOS平衡结构的SOI三栅极FinFET的谐波失真分析
机译:通过分子束外延生长在非平面图案化砷化镓(001)衬底上进行无应变和应变半导体纳米结构的制造。
机译:FinFET和非应变si /应变si FDsOI-mOsFET的可扩展性