机译:AlGaN / GaN / Si高电子迁移率晶体管中的热效应
Laboratoire de Micro-Optoelectroniques et Nanostructures, Departement de Physique, Faculte des Sciences de Monastir, 5019 Monastir, Tunisia;
CRHEA-CNRS, rue B. Gregory, Pare de Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, France;
CRHEA-CNRS, rue B. Gregory, Pare de Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, France;
Laboratoire d'Electronique et de Microelectronique, Departement de Physique, Faculte des Sciences de Monastir, 5019 Monastir, Tunisia and Unite de Recherche de Mathematiques Appliquees et Physique Mathematique, Ecote Preparatoire aux Academies Miiitaires, Avenue Marechal Tito 4029 Sousse, Tunisia;
Laboratoire de Micro-Optoelectroniques et Nanostructures, Departement de Physique, Faculte des Sciences de Monastir, 5019 Monastir, Tunisia;
alcan/gan/si hemts; direct-current characteristics; self-heating; two-dimensional electron gas;
机译:AlGaN / GaN高电子迁移晶体管的三维稳态和瞬态完全耦合电热模拟:浇筑横向散热和浇口串联之间的效果
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中热效应的有效物理热模型
机译:大面积工程衬底上厚GaN外延层和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电热评估
机译:GaN缓冲层质量对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的dc特性的影响的研究
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的三维稳态和瞬态全耦合电热模拟:横向散热和栅极指间热串扰的影响
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。