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摘要

The 2010 International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2010) was held at KTH Royal Institute of Technology at the satellite campus in Kista, Stockholm, Sweden on May 24th-26th 2010. This is the 5th conference in the series started in January 2003 with the first meeting held in Nagoya, Japan. The 2010 conference was chaired by Prof. Mikael Ostling, KTH who was significantly helped by the co-chairs Dr. Henry Radamson and Dr. Gunnar Malm, both from KTH. Dr. Radamson also chaired the Technical Programme Committee. In total 58 contributed abstracts from 11 different countries were initially submitted for consideration by the technical committee. The final accepted paper count was divided between 17 invited talks, 33 oral presentations and 23 poster presentations. The topical themes covered a wide area ranging from Epitaxial Growth and Characterization, Device-related materials, Process Technology, to Optoelectronic and Novel Devices. A novel topic this year was the session on spin-based materials and devices.
机译:2010年国际SiGe技术与设备会议(ISTDM 2010)于2010年5月24日至26日在瑞典斯德哥尔摩Kista卫星校园的KTH皇家技术学院举行。这是该系列的第5次会议于2003年1月开始,第一次会议在日本名古屋举行。 2010年会议由KTH的Mikael Ostling教授主持,他得到了KTH的联合主席Henry Radamson博士和Gunnar Malm博士的大力帮助。 Radamson博士还主持了技术计划委员会。最初共提交了来自11个不同国家的58篇摘要,供技术委员会审议。最终接受的论文数量分为17个邀请演讲,33个口头报告和23个海报演示。主题涵盖从外延生长和表征,与器件相关的材料,工艺技术到光电和新型器件的广泛领域。今年的一个新主题是有关自旋材料和器件的会议。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2011年第1期|p.1|共1页
  • 作者

    Mikael Ostling;

  • 作者单位

    B. Cunnar Malm Henry H. Radamson;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:34:41

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