机译:低频噪声表征绝缘子上锗(GeOI)高k和金属栅极pMOSFET的工艺选项的影响
IES, Universite Montpellier II, UMR CNRS 5214. Place E. Bataillon, 34095 Mompellier Cedex 5. France;
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CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs. 38054 Grenoble cedex 9, France;
CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs. 38054 Grenoble cedex 9, France;
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机译:在200 Mm Geoi晶圆的Si工艺生产线中制造的具有高k和金属栅极的105 Nm栅极长度Pmosfets
机译:低频噪声和随机电报噪声表征对退火工艺对高k /金属栅n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管陷阱性质的影响
机译:陷阱行为对高k /金属栅极PMOSFET随机电报噪声的影响
机译:SUB-100NM高k金属栅极地理PMOSFET性能:电气沟道方向和源注射速度的影响
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的闪烁噪声
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:具有原位SiOx界面层的高k /金属栅叠层上的低频噪声研究