机译:在高电场下测量<111>和<100>晶体取向的体硅中的载流子迁移率和漂移速度饱和度
Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg, Germany;
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mobility; silicon; electric field; anisotropy;
机译:电场增加时电荷载流子速度的饱和:纯有机晶体的理论研究-艺术。没有。 205104
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机译:取向和外部电场对高阶热解石墨和辛烷-1-硫醇封端的Au(111)衬底上的GuPc和F_(16)CuPc薄膜中载流子迁移率的影响
机译:通过飞行时间技术测量硅中的高场载流子漂移速度
机译:用表面结合的有机官能团修饰的结晶硅(111)表面的化学表征和电荷载流子动力学。
机译:泛素细胞色素c和肌红蛋白的构象景观:氦气和氮气流中均匀场离子迁移率的测量
机译:电荷载流子迁移率和漂移速度饱和度的测量 在高电阻下,<111>和<100>晶体取向的体硅中 领域
机译:硫化镉晶体中的声电振荡,电流饱和和电子漂移迁移率