机译:具有倒金字塔侧壁结构的氮化物基发光二极管的输出功率增强
Department of Optics and Photonics, National Central University, Jhongli, Taoyuan 32001, Taiwan;
Institute of Lighting and Energy Photonics, National Chiao Tung University, Guiren, Tainan 71150, Taiwan;
Department of Optics and Photonics, National Central University, Jhongli, Taoyuan 32001, Taiwan;
gan; light-emitting diodes; nitride; ingan-gan mqw; metalorganic chemical vapor deposition;
机译:具有22°底切侧壁的基于氮化物的发光二极管的光输出增强
机译:通过粗糙化台面侧壁来增强基于氮化物的发光二极管的光输出
机译:具有电子阻滞层的基于氮化蓝的发光二极管的输出功率增强
机译:具有AlGaN / GaN电子阻挡层的多层结构的InGaN / GaN发光二极管的增强输出功率
机译:氮化镓基发光二极管上的渐变折射率结构,用于光提取效率增强和远场发射控制
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率