机译:在用于HEP的SiGe双极晶体管的γ和中子辐射保证测试中,偏置和退火的综合作用
Centro National de Microelectronica (CNM-CS1C). Campus UAB. 08193 Barcelona. Spain;
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Innovation for High Performance Microelectronics (IHP), Itn Technologiepark 25. 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
Innovation for High Performance Microelectronics (IHP), Itn Technologiepark 25. 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
radiation effects; sige hbt; bias effects; gamma irradiation; neutron irradiation; lonization damage; displacement damage;
机译:衬底偏置和电介质对用于混合信号应用的SiGe-OI上对称横向双极型晶体管性能参数的影响
机译:针对高级SiGe双极晶体管的增强型低剂量率灵敏度(ELDRS)测试,适用于非常高的总剂量应用
机译:双极结型晶体管在较高辐射温度下的硬度保证测试
机译:用于HEP应用的双极技术的伽玛辐射保证测试中的偏置条件
机译:通过设计技术对硅锗异质结双极晶体管和数字逻辑电路进行硬度保证测试和辐射硬化。
机译:带有热快和超快中子的Si和SiC功率晶体管的加速测试
机译:中子和γ辐照下商用NpN双极结晶体管的电学特性
机译:通过确定物理参数确定双极晶体管的中子硬度。