机译:任意掺杂的对称双栅MOSFET的中心电势最大幅度的公式
Solid State Electronics Laboratory. Simon Bolivar University, Caracas 1080, Venezuela;
Solid State Electronics Laboratory. Simon Bolivar University, Caracas 1080, Venezuela;
double gate MOSFET; symmetric DG MOSFET; doped-body DG MOSFET; undoped-body DG MOSFET;
机译:对称掺杂双栅MOSFET的电势和阈值电压建模
机译:掺杂对称双栅MOSFET从累积到强反转区域的连续分析沟道电势解决方案
机译:掺杂对称双栅MOSFET从累积到强反转区域的连续分析沟道电势解决方案
机译:具有任何体掺杂的共用栅极对称/不对称双栅MOSFET的统一区域表面电位
机译:均匀掺杂的短沟道对称双栅(DG)MOSFET的掺杂相关阈值电压模型
机译:任意多面体网格上多项式和对称求积公式的精确积分