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机译:准分子激光和固相结晶多晶硅薄膜晶体管的晶体管特性比较
Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan,Joint Research Center for Science and Technology, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan;
Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan;
Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan;
excimer-laser crystallization (ELC); solid-phase crystallization (SPC); poly-si; thin-film transistor (TFT);
机译:固相结晶制备的多晶硅薄膜晶体管全带隙中陷阱密度的提取及其后退火工艺条件的影响
机译:固相结晶制造的多晶硅薄膜晶体管中陷阱密度的提取及其与后退火温度和时间的关系
机译:沟道宽度分裂对硅化物籽晶横向结晶多晶硅薄膜晶体管驱动特性的影响
机译:准分子激光结晶的多晶硅薄膜晶体管的特性偏差和运算放大器的布局设计
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:错误的:通过镍硅化镍种子诱导的横向结晶进展P沟道底栅聚-SI薄膜晶体管
机译:用准分子激光诱导侧向生长形成薄膜晶体管的晶硅岛。