机译:使用自旋转移扭矩操作的磁性隧道结实现内在逻辑的蕴涵逻辑门
Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Gujβhausstraβe 27-29/E360, A-1040 Wien, Austria;
Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Gujβhausstraβe 27-29/E360, A-1040 Wien, Austria;
Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Gujβhausstraβe 27-29/E360, A-1040 Wien, Austria;
Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Gujβhausstraβe 27-29/E360, A-1040 Wien, Austria;
Logic-in-memory; Material implication (IMP); Magnetic tunnel junction (MTJ); Non-volatile logic; Spin-transfer torque (STT);
机译:磁性隧道结逻辑电路中隐含和可重编程逻辑门的可靠性分析与比较
机译:基于磁性隧道结器件的非易失性基于存储器逻辑的查找表电路的电路优化技术
机译:基于磁隧道结的非易失性内存逻辑LSI的制造,具有内容感知的写错误屏蔽方案,可实现92%的存储容量和79%的功耗降低
机译:基于可靠性的自旋转移扭矩磁隧道结蕴涵逻辑栅极的优化
机译:铁磁性金属/绝缘体界面:磁性隧道结的含义。
机译:具有移动畴壁的三端磁性隧道结的逻辑电路原型
机译:基于磁隧道结装置的非易失性逻辑内存查找表电路的电路优化技术