机译:铂辅助掺杂剂活化制备的Ge p〜+ / n二极管的反向特性室温分析
NSCR "Demokritos", Division of Microelectronics, 153-10 Athens, Greece;
NSCR "Demokritos", Division of Microelectronics, 153-10 Athens, Greece;
NSCR "Demokritos", Division of Microelectronics, 153-10 Athens, Greece;
NSCR "Demokritos", Division of Microelectronics, 153-10 Athens, Greece;
Technological and Educational Institution (TEI) of Athens, Department of Electronics, Aegaleo, Attiki, Greece;
NSCR "Demokritos", Division of Materials Science, 153-10 Athens, Greece;
Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
germanium; junction diodes; generation lifetime; recombination lifetime; diffusion current;
机译:磁控溅射Cr / n-gaas肖特基二极管的电流-电压-温度特性和T_0异常分析
机译:在宽温度范围内Au / PVA:Zn / n-Si肖特基势垒二极管的正向和反向偏压Ⅰ-Ⅴ特性分析
机译:(AU / TI)/ AL_2O_3 / N-GAAS肖特基势垒二极管(SBD)的反向偏置电流 - 电压 - 温度(I-V-T)特性在80-380 k的温度范围内
机译:恒定正向电流激活的W / n-GaAs肖特基二极管的电压-温度特性:用作温度传感器
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:超高压电子束蒸发制备的Pt / GaN肖特基二极管电学特性与温度的关系
机译:AU / PPY / N-Si(MPS)型肖特基势垒二极管(SBD)温度依赖性反向偏置电容 - 电压(C-V)特性的研究在100 kHz和500 kHz
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性