机译:无结全栅纳米线FET中的跨电容建模
Swiss Federal Institute of Technology in Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, Switzerland;
Swiss Federal Institute of Technology in Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, Switzerland;
Swiss Federal Institute of Technology in Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, Switzerland;
AC analysis; Trans-capacitance; Compact model; Gate-all-around; Nanowire; Junctionless;
机译:无结对称双栅极MOSFET中的跨电容建模
机译:子5 nm技术节点的无连接门 - 全围绕垂直堆叠纳米线FET的特征与优化
机译:功函数变化对高k /金属栅极无结FinFET和全方位栅极纳米线MOSFET模拟品质因数的影响
机译:无结的全方位栅极横向和垂直纳米线FET,具有简化的处理,适用于高级逻辑和模拟/ RF应用以及可扩展的SRAM单元
机译:用于DNA测序的门 - 全部纳米线MOSFET
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:全栅无结纳米线晶体管电学特性的仿真与有限元分析