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机译:浮体DRAM中的体效应和电荷降解的物理见解
Dipartimento di Ingegneria Elettronica, Chimica e Ingegneria Industrials, Universita degli Studi di Messina, 1-98166 Messina, Italy;
One transistor DRAM; Floating body effect; Trap-Assisted-Tunneling; Band-to-Band-Tunneling;
机译:“无电容器”浮体DRAM单元的新见解
机译:浮体无电容器DRAM的物理和建模的进一步深入了解
机译:非完全耗尽SOI MOSFET的基于物理电荷的模型及其在评估SOI CMOS电路中的浮体效应中的用途
机译:用于嵌入式DRAM的超快速浮体/门单元
机译:纳米透镜浮体DRAM细胞的物理分析与设计
机译:浮体MOSFET的充放电动力学泄漏泄漏并激发神经元
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机译:高级64mb 3.3V DRam的辐射评估及尺度对辐射硬度影响的见解