机译:纳米MOSFET中随机掺杂波动引起的截止频率变异性保留相关性的解析模型。
Key Laboratory for RF Circuits and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People's Republic of China;
Key Laboratory for RF Circuits and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People's Republic of China;
Key Laboratory for RF Circuits and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People's Republic of China;
Cutoff frequency; Analytical modeling; Nanometer MOSFET; Random dopant fluctuation;
机译:保留相关性的纳米MOSFET中随机掺杂剂引起的栅极电容变化的统计建模
机译:纳米级MOSFET中随机掺杂波动引起的RF性能(f_T)变异性的相关性和模型
机译:纳米金属 - 氧化物半导体 - 效应晶体管随机掺杂剂波动和功函数变化引起的栅极电容变化相关性的影响
机译:利用解析模型研究绝缘体MOSFET上完全耗尽硅中的随机掺杂物波动效应
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:散射对Decanano mOsFET中随机掺杂诱导电流波动的影响
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究