机译:类似于沟槽式JFET和JBS器件的势垒
Univ Salerno, Dept Ind Engn DIIn, Via Giovanni Paolo 2,132, I-84084 Salerno, Italy;
Univ Salerno, Dept Ind Engn DIIn, Via Giovanni Paolo 2,132, I-84084 Salerno, Italy;
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4H Polytype of Silicon Carbide (4H-SiC); Trenched-JBS; Trenched-JFETs; Semiconductor device modelling;
机译:1200 V常关和常开垂直沟道SiC功率JFET器件的比较
机译:在4H-SiC JBS二极管中的沟道区设计通过潜在屏障的分析模型
机译:距离和设备-使用无线手持设备的潜在障碍
机译:带集成结屏障肖特基二极管的沟槽电源JFET
机译:基于4H碳化硅横向JFETS的功率器件和集成电路。
机译:成人1型糖尿病患者使用糖尿病器械:摄取障碍和潜在干预目标
机译:通过降低势垒的载流子复合空间转移导致C8碳量子点/有机混合发光器件中的蓝/红可切换发光