机译:III-V三栅量子阱MOSFET:针对10 nm及更高技术的量子弹道仿真研究
Bangladesh Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Dhaka 1000, Bangladesh;
Bangladesh Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Dhaka 1000, Bangladesh;
III-V FinFET; Non equilibrium Green's function; Quantum transport; Subthreshold performance;
机译:使用虚拟源注入速度模型,将高性能逻辑晶体管DC基准化为III-V和Si三栅极n-MOSFET之间的7 nm技术节点
机译:包括量子效应的纳米级三栅MOSFET的建模和仿真
机译:双栅和三栅10 nm FinFET的全3D自洽量子传输仿真
机译:In
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:自旋器乐伪影的模拟研究I = 1的双量子过滤NmR光谱
机译:III-V Tri-Gate量子阱MOSFET:10 NM技术及超越的量子弹道仿真研究
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究