机译:双极SiC高温运算放大器的正反馈配置研究
KTH Royal Inst Technol, Stockholm, Sweden;
Intel Corp, Santa Clara, CA 95051 USA;
KTH Royal Inst Technol, Stockholm, Sweden;
Silicon carbide; Integrated circuit; High temperature; Operational amplifier; Oscillator;
机译:采用4H-SiC双极技术的单片500°C运算放大器
机译:通道植入对高温应用的4H-SiC CMOS运算放大器的影响
机译:SiC双极技术中宽温度范围放大器设计的材料方面
机译:在不同剂量率和温度下用双极和CMOS输入阶段进行CMOS运算放大器的剂量效应
机译:双极结型晶体管,MOSFET,功率运算放大器和真空管音频功率放大器设计的比较。
机译:室温和高温下拉伸张力循环疲劳载荷下2 C / SiC和SiC / SiC陶瓷基复合材料损伤演化的比较
机译:采用4H-SiC双极技术的单片500°C运算放大器