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机译:源/漏和整体工程对n-MOSFET和p-MOSFET的LFN性能的影响
Ams AG, Tobelbader Str 30, A-8141 Premstaetten, Austria;
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Low frequency noise; CMOS; MOSFET; Channel and well engineering;
机译:Si,Ge,Gasb和Gesn纳米线P-MOSFET的弹道性能源对排水隧穿的影响
机译:具有冷凝硅锗源极/漏极的应变薄型p-MOSFET,可增强驱动电流性能
机译:Ge比例对先进的SiGe体P-MOSFET匹配性能的影响
机译:源漏漏极对硅和锗锡纳米线p-MOSFET弹道性能的影响
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:用于增强的非易失性存储器性能的源极和漏极结合工程