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机译:SiC双极IC技术中单片500摄氏度OpAmp-RC积分器的高频特性
KTH Royal Inst Technol, S-16440 Stockholm, Sweden;
KTH Royal Inst Technol, S-16440 Stockholm, Sweden;
Bipolar junction transistor (BJT); High temperature; High frequency; Integrated circuits (ICs); Integrator; Operational amplifier (OpAmp); Silicon carbide (SiC); Spice Gummel-Poon (SGP);
机译:在双极4H-SiC TTL技术中实现的单片500°C D-触发器
机译:采用4H-SiC双极技术的单片500°C运算放大器
机译:7.3 GHz动态分频器单片集成在标准双极技术中
机译:在双极4H-SiC TTL技术中实现的单片500°C D-翻转牌
机译:在海洋地壳中对橄榄岩的微晶化:在200摄氏度和300摄氏度,500巴的条件下海-橄榄石相互作用的实验和理论研究。
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:采用4H-SiC双极技术的单片500°C运算放大器