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机译:AlGaN / GaN HEMT中2DEG浓度和栅极泄漏电流的分析模型
IIT Kanpur, Dept Elect Engn, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India;
IIT Kanpur, Dept Elect Engn, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India;
2DEG; AlGaN/GaN HEMT; DoS (Density of States); Gate leakage current; Interface traps; Thermionic emission; Trap-Assisted Tunneling (TAT);
机译:Alinn / GaN和Algan / GaN Hemts的电荷基于闸门漏电流的紧凑型号
机译:AlGaN / GaN HEMT中栅极漏电流的修正模型
机译:通过AlGaN表面的氧钝化减少AlGaN / GaN HEMT中的栅极泄漏电流
机译:AlGaN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMT中栅极泄漏电流的分析演示
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制