机译:设定电压极性对NiO基非易失性存储器件中导电细丝性能的影响
Tianjin Univ, Dept Phys, Tianjin Key Lab Low Dimens Mat Phys & Preparing T, Tianjin 300072, Peoples R China|Civil Aviat Univ China, Coll Sci, Tianjin 300300, Peoples R China;
Tianjin Univ, Dept Phys, Tianjin Key Lab Low Dimens Mat Phys & Preparing T, Tianjin 300072, Peoples R China;
Nonvolatile memory device; Filaments; Resistive switching;
机译:基于非晶InGaZnO薄膜的电阻开关非易失性存储器件中导电细丝的观察
机译:基于O型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件,使用p型硅纳米线通道
机译:基于碳纳米点掺杂聚(乙烯醇)复合材料的非易失性存储器,具有低运行电压和高开/关比
机译:POIY-NIO / NB:用于非易失性随机存取存储器的基于SRTIO_3的电阻式开关装置
机译:用于低压非易失性半导体存储器(NVSM)的MONOS / SONOS缩放设备的物理,技术和电气方面。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件,使用p型硅纳米线通道