机译:太赫兹波检测硅MOSFET中等离子体效应的数值研究
RWIH Aachen Univ, Inst Electromagnet Theory, D-52056 Aachen, Germany;
RWIH Aachen Univ, Inst Electromagnet Theory, D-52056 Aachen, Germany;
Univ Appl Sci Upper Austria, Embedded Syst Res Grp, Wels, Austria;
Univ Appl Sci Upper Austria, Embedded Syst Res Grp, Wels, Austria;
Drift-diffusion model; Resistive mixer; Plasma waves; THz detectors;
机译:氮化铝硅衬底上制造的小型MOSFET自热效应的数值研究
机译:氮化铝硅衬底上制造的小型MOSFET自热效应的数值研究
机译:射频应用硅纳米线MOSFET的寄生效应研究和设计优化
机译:等离子体氧化的各向同性氧化和RIE诱导效果对4H-SIC沟槽MOSFET的影响
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积沉积非晶硅和硅基电介质:在制造TFT和MOSFET中的应用
机译:不同功能生物界面对硅纳米线MOSFET的影响的研究
机译:硅太阳能电池空间效应的数值研究
机译:晶界对sOI(绝缘体上硅)mOsFET电性能影响的理论实验分析。