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机译:电致发光技术分析AlInN / GaN HEMTs的降解机理
Normandie Univ, UCN, LUSAC, EA 4253, Site Univ 60 Rue Max Pol Fouchet,CS 20082, F-50130 Octeville, France;
Normandie Univ, UCN, LUSAC, EA 4253, Site Univ 60 Rue Max Pol Fouchet,CS 20082, F-50130 Octeville, France|EAMEA, Blvd Bretonniere,BP 19, F-50115 Cherbourg Armees, France;
Normandie Univ, UCN, LUSAC, EA 4253, Site Univ 60 Rue Max Pol Fouchet,CS 20082, F-50130 Octeville, France;
EAMEA, Blvd Bretonniere,BP 19, F-50115 Cherbourg Armees, France;
EAMEA, Blvd Bretonniere,BP 19, F-50115 Cherbourg Armees, France;
CEA Saclay, Inst Natl Sci & Tech Nucl, F-91191 Gif Sur Yvette, France;
IEMN, UMR 8520, Cite Sci,BP 60069, F-59652 Villeneuve Dascq, France;
Normandie Univ, UCN, LUSAC, EA 4253, Site Univ 60 Rue Max Pol Fouchet,CS 20082, F-50130 Octeville, France;
AlInN; GaN; HEMT; Electron traps; Electrical stress; Reliability; Electroluminescence technique;
机译:AlInN / GaN和AlGaN / GaN MIS-HEMT中的栅极泄漏机理及其建模
机译:通过背势垒有效抑制AlInN / GaN HEMT的高温DC性能下降
机译:使用立方样条插值技术将Alinn背屏对Algan / GaN MOS-HEMT的影响利用HFO 2电介质
机译:GaN / Algan / GaN Hemts中高场降解机制的体力调查
机译:分析影响ALGaN / GaN HEMT安全运行的故障机理。
机译:使用电致发光扫描技术对未来湿热道路潜在利用的热湿条件下安装在混凝土板上的c-Si光伏组件的性能下降分析
机译:诱捕了GaN型功率HEMT的现象和降解机制