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机译:利用单栅极和多栅极功函数在无结结构上实现硅纳米管隧穿FET
SSN Coll Engn, Dept Informat Technol, Madras, Tamil Nadu, India;
SSN Coll Engn, Dept Elect & Commun Engn, Madras, Tamil Nadu, India;
SSN Coll Engn, Dept Informat Technol, Madras, Tamil Nadu, India;
Tunnel FET; Junctionless Silicon nanotube; Single gate workfunction;
机译:具有单栅电极功函数的无结FET上的隧道FET操作的实现
机译:掺杂剂诱导的单硅NW三栅极连接N-MOSFET的子带内的单电子隧道
机译:使用栅极和介质工程的无线硅纳米管FET性能提高
机译:闸门,门外和栅极内外圆柱形连接硅纳米管FET的比较绩效分析
机译:使用低温扫描隧道显微镜和光谱法表征单分子,共轭聚合物和分子纳米结构的电子结构。
机译:Ge摩尔分数在改善纳米级无结隧穿FET性能中的作用:概念和缩放能力
机译:隧道耦合双纳米晶硅量子点与多栅单电子晶体管的集成