...
机译:SiC衬底上的2.5 GHz集成石墨烯RF功率放大器
Univ Bordeaux, IMS Lab, CNRS UMR 5218, Talence, France;
Univ Bordeaux, IMS Lab, CNRS UMR 5218, Talence, France;
Univ Lille, IEMN Lab, CNRS UMR 8520, Villeneuve Dascq, France;
Univ Lille, IEMN Lab, CNRS UMR 8520, Villeneuve Dascq, France;
Univ Lille, IEMN Lab, CNRS UMR 8520, Villeneuve Dascq, France;
Univ Bordeaux, IMS Lab, CNRS UMR 5218, Talence, France;
Graphene; RF power amplifier; Circuit design;
机译:一个0.75-2.5 -GHz全数字RF发射器,集成Class-E功率放大器,用于5G无线电的频谱共享应用
机译:采用选择性阳极氧化氧化铝基板的小型化2.5 GHz 8 W GaN HEMT功率放大器模块
机译:完全集成的2.4 GHz CMOS大功率放大器,采用并行A&B类功率放大器和功率合并变压器,用于WiMAX应用(会议论文)
机译:2.5A 7nm FinFET 2.5GHz / 2.0GHz双齿轮八核CPU子系统,具有功率/性能增强功能,适用于完全集成的5G智能手机SoC
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:用于数字预感模型RF功率放大器的2.0-2.5 GHz频率可选振荡器