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机译:磷失活对多晶硅栅电极的耗尽效应
Samsung Adv Inst Technol, Device Lab, Device & Syst Res Ctr, Suwon 443803, Gyeonggi Do, South Korea;
Korea Maritime & Ocean Univ, Dept Elect Mat Engn, 727 Taejong Ro, Busan 49112, South Korea;
Polysilicon; Phosphorus; Depletion effect; Deactivation;
机译:通过使用多晶硅锗锗栅电极有效抑制多晶硅/高k栅堆叠中的费米能级钉扎
机译:n〜(+)-多晶硅/高k栅极电介质(HfO_(2)和Al_(2)O_(3))膜的磷离子注入和POCl_(3)掺杂效应
机译:完全耗尽绝缘体上硅膜上制造的透明电极选通的横向PIN光电二极管的频率特性研究
机译:用于完全耗尽的SOI / CMOS的新栅电极;锡和多晶硅
机译:减轻固体氧化物燃料电池(SOFC)燃料电极中金属催化剂失活的方法。
机译:电压传感器之间的直接相互作用在电压门控H +通道二聚体中产生协同的持续失活
机译:自对准的四端平面金属双栅极低温多晶 - 硅薄膜晶体管,用于系统上玻璃
机译:用于检测有机磷化合物的交叉栅极电极场效应晶体管的评价。