机译:带体浮式多栅极PDSOI NMOS晶体管的X波段T / R开关
Yonsei Univ, Dept Elect & Elect Engn, Seoul 03722, South Korea;
Yonsei Univ, Dept Elect & Elect Engn, Seoul 03722, South Korea;
Silicon-on-insulator (SOI) CMOS; Transmit and receive switch; Multi-gate NMOS transistor; Body resistance; Floating body transistor;
机译:NMOS晶体管的阈值电压和跨导参数在NMOS逆变器性能中对于静态和开关操作条件的作用
机译:使用0.13; C; m CMOS技术的体浮开关的60 GHz开关线路型移相器
机译:NMOS和PMOS PDSOI Passgate电路中的开关延迟可变性
机译:NMOS低压差稳压器,带有开关式浮动电容器栅极过驱动。
机译:具有多栅极结构的高性能延伸栅极离子敏感场效应晶体管用于透明柔性可穿戴生物传感器
机译:使用新颖的超线性晶体管,在1 GHz频率下具有并行NMOS和PMOS晶体管,可降低电流AB类无线电接收器级
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。