机译:考虑温度效应的非晶InGaZnO薄膜晶体管的漏极电流模型
South China Univ Technol, Sch Elect & Informat Engn, Guangzhou 510641, Guangdong, Peoples R China;
South China Univ Technol, Sch Elect & Informat Engn, Guangzhou 510641, Guangdong, Peoples R China;
Amorphous; InGaZnO; Thin film transistors; Mobility; Drain current; Temperature dependence;
机译:同时考虑深陷状态和尾陷状态的非晶InGaZnO薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
机译:具有有效载流子密度的非晶InGaZnO薄膜晶体管的漏极电流和栅极电容的解析模型
机译:非晶InGaZnO薄膜晶体管基于表面势的分析漏电流模型
机译:考虑深陷和尾陷状态的非晶硅和多晶硅薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
机译:用于增强离子注入薄膜和非晶混合氧化物薄膜晶体管性能的新型低温工艺。
机译:有源层厚度不同的非晶InGaZnO薄膜晶体管中漏极电流应力引起的不稳定性
机译:用于薄膜晶体管的非晶InGaZnO层上的银源/漏电极的直接喷墨印刷