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机译:用开尔文探针力显微镜测量被低温生长的GaAs层钝化的GaAs MESFET的电位分布
机译:用开尔文探针力显微镜测量GaAs HEMT和异质结构的电位分布
机译:用开尔文探针力显微镜测量GaAs HEMT和异质结构的电位分布
机译:砷化镓 HEMT器件 的 电位分布 测量 ,并使用 开尔文探针 力显微镜 异质
机译:用开尔文探针力显微镜测量GaAs HEMT裂解表面的电位分布
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:分子分辨原子力显微镜(AFM)和开尔文探针力显微镜研究了HOPG上亚单层和单层中MnIII6CrIII 3+单分子磁体的结晶顺序和分解
机译:掺杂剂密度对使用开尔文探针力学显微镜的N型GaAs同性记触电电位差的影响
机译:微波mEsFET是在sOs(蓝宝石上硅)衬底上生长的Gaas层中制造的