机译:多晶硅垂直薄膜晶体管电气特性的深度分析
Nanjing Univ Posts & Telecommun Coll Elect & Opt Engn Nanjing 210023 Peoples R China|Nanjing Univ Posts & Telecommun Coll Microelect Nanjing 210023 Peoples R China;
Univ Rennes 1 IETR UMR CNRS 6164 Dept Microelect & Microcapteurs F-35042 Rennes France;
Univ Rennes 1 IETR UMR CNRS 6164 Dept Microelect & Microcapteurs F-35042 Rennes France;
Univ Rennes 1 IETR UMR CNRS 6164 Dept Microelect & Microcapteurs F-35042 Rennes France;
Univ Rennes 1 IETR UMR CNRS 6164 Dept Microelect & Microcapteurs F-35042 Rennes France;
Polycrystalline silicon; Vertical thin film transistor; Pseudo-subthreshold region; Grain boundary barrier; Density of states;
机译:多晶硅薄膜晶体管的电特性分析和器件仿真
机译:多晶硅薄膜晶体管的电特性分析与装置模拟
机译:多晶硅薄膜晶体管中的热载流子效应:电特性和噪声性能归因的分析
机译:利用场辅助横向结晶的栅结构减少的多晶硅薄膜晶体管的电学特性
机译:薄膜晶体管应用的多晶硅/电介质/衬底材料系统:材料特性对晶体管性能和可靠性的影响。
机译:准分子激光晶体化的Si1-xGex薄膜晶体管的电学和结构特性
机译:多晶硅垂直薄膜晶体管的表征和电气建模