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机译:28 nm FDSOI模拟和RF数字在N_2低温温度下的优点
Catholic Univ Louvain ICTEAM B-1348 Louvain La Neuve Belgium;
ST Microelect ST 850 Rue J Monnet F-38926 Crolles France;
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FDSOI; UTBB MOSFETs; Analog and RF Figures of Merit (FoM); Cryogenic temperature; Mobility; Series resistance;
机译:N_2低温下的28 nm FDSOI模拟和RF品质因数
机译:低温下28 nm FDSOI CMOS技术的表征和建模
机译:28-NM FDSOI CMOS技术对低温温度的表征与建模
机译:低温下的28 FDSOI模拟和RF品质因数
机译:低温漂移池光谱仪的开发和改善离子淌度质谱分析的品质因数的方法
机译:铋锑微晶合金在低温下的优异性能
机译:在低温温度下铋 - 锑细粒合金的增强型优异图