机译:CMOS埋入式多结检测器中击穿电压偏移的解析模型
Univ Lyon Univ Claude Bernard Lyon 1 Lyon Inst Nanotechnol F-69100 Villeurbanne France;
Analytical model; Breakdown voltage shift; Buried multiple junction (BMJ) detector; Thermionic emission;
机译:可变k介电埋层SOI高压器件的电场和击穿电压的新结构及其解析模型
机译:RESURF的掩埋氧化物界面处的正电荷:击穿电压的分析模型
机译:埋入式层状不可移动电荷的高压SOI器件的新结构及其分析故障模型
机译:CMOS埋地Quad结(BQJ)检测器的击穿电压偏移
机译:纳米级CMOS技术中具有击穿能力的高压电源电路
机译:CMOS埋入式双结(BDJ)光电探测器及其应用综述
机译:CMOS掩埋四极p-n结光电探测器模型