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机译:通过AlAs成核和热循环退火在Si(OOl)衬底上外延生长的高质量GaAs
Elect & Telecommun Res Inst 218 Gajeong Ro Daejeon 34129 South Korea;
Korea Basic Sci Inst 169-148 Gwahak Ro Daejeon 34133 South Korea;
Silicon laser; III-V on Si; Monolithic integration; Dislocation density; AlAs nucleation; Thermal cycle annealing;
机译:基于GaAs / Si虚拟基板的GaAs基光电子,具有多个间隔热循环退火
机译:Si衬底上外延生长的垂直排列的AlAs / GaAs / GaP异质结构纳米线的结构,组成和光学表征
机译:通过热退火和化学气相沉积在SiC衬底上外延石墨烯成核
机译:热循环退火和Si掺杂对MBE生长的GaAs / Si晶体质量的影响
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:GaAs(111)A衬底上的液滴外延生长InAs量子点的特性和热退火效应
机译:液滴外延在GaAs(111)基板上产生的液滴外延的ins量子点的表征及影响
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数