...
机译:IGZO忆阻器基于物理的高度可靠的SPICE紧凑模型,考虑了对电极金属和沉积顺序的依赖性
Kookmin Univ Circadian ICT Res Ctr ERC Sch Elect Engn Seoul 02707 South Korea;
Gachon Univ Dept IT Convergence Engn Gyeonggi Do 13120 South Korea;
Physics-based SPICE compact model via; Verilog-A; Indium-gallium-zinc oxide (IGZO) memristor; Non-quasi-statically updated Schottky barrier height considering electrode metal; Ar bombardment; Thermionic emission; Model parameter;
机译:电阈值控制的双极性/单极性忆阻器开关的SPICE紧凑模型
机译:Taox中可靠的多价电导状态,通过氧等离子体辅助电极沉积在原位偏置电导状态透射电子显微镜分析中
机译:基于MOSFET SPICE $ {rm Level} = 3 $的紧凑型a-IGZO TFT模型,用于模拟/ RF电路设计
机译:基于非准静态更新肖特基势垒高度的IGZO忆阻器的SPICE紧凑模型
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:忆及突触活动依赖性的忆阻器SPICE模型
机译:通过氧等离子体辅助电极沉积在原位偏置电导状态透射电子显微镜分析中可靠地在Taox忆内传导状态下可靠的多值电导状态
机译:电化学忆阻器的表征和物理模型。