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机译:用于在动态工作条件下SiGe HBT中热载流子降解的物理和通用老化紧凑模型
Univ Bordeaux IMS Lab UMR CNRS 5218 Cours Liberat F-33405 Talence France;
Leibniz Inst Innovat Milcroelelctron IHP D-15236 Frankfurt Oder Germany;
Univ Bordeaux IMS Lab UMR CNRS 5218 Cours Liberat F-33405 Talence France|STMicroelectronics F-38926 Crolles France;
STMicroelectronics F-38926 Crolles France;
Infineon Technol AG D-81726 Munich Germany;
Aging; Aging tests; Compact model; Hot-carrier degradation; Safe operating area; SiGe HBTs;
机译:SiGe HBT中的热载流子降解:物理和多功能老化紧凑模型
机译:混合模式下热载流量降解的统一老化紧凑型模型,互补SiGE HBTs中的反向E-B应力
机译:接近SOA极限的应力条件下SiGe HBT的微观热载流子降解模型
机译:SiGe HBT的基于物理的热载流子退化模型
机译:硅锗HBT和VCO中热载流子引起的降解和伽马射线引起的降解。
机译:Fenton氧化法有效降解氯喹药物:操作条件和降解机理的影响
机译:混合模式下热载体降解的统一老化紧凑型模型,互补SiGE HBTs中的反向E-B应力
机译:siGe量子阱红外光电探测器的载波动力学方法。