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机译:GaN TFET,FinFET和GNRFET技术中的8T静态RAM单元的低功耗-高速性能-评论
Indiana Univ Purdue Univ IUPUI Indianapolis IN USA;
TTU Lubbock TX USA;
Norwegian Univ Sci & Technol Trondheim Norway;
GNRFET; TFET; FinFET; ULSI; 8T SRAM; 6T SRAM;
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:8T FinFET SRAM单元的全V-DD和近阈值性能
机译:使用FinFET晶体管的高速和低功率麦加帕接地的非易失性静态电池的设计与仿真
机译:使用适用于制造的TFET器件的测量数据的2D紧凑模型对8T TFET SRAM单元进行静态噪声裕度分析
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:低速和高速耐热训练计划对预制和勒布老年人的脆弱状态物理性能认知功能和血压的影响
机译:用于超低功耗应用的低压高速8T SRAM单元
机译:利用双速齿轮比获得最佳转速的螺旋桨静态和低速性能分析研究