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机译:三栅极无结MOSFET的紧凑模型,可在宽温度范围内进行精确的电路设计
Ctr Univ FEI, Elect Engn Dept, Sao Bernardo Do Campo, Brazil;
CINVESTAV, SEES, Mexico City, DF, Mexico;
Ctr Univ FEI, Elect Engn Dept, Sao Bernardo Do Campo, Brazil;
Ctr Univ FEI, Elect Engn Dept, Sao Bernardo Do Campo, Brazil;
CINVESTAV, SEES, Mexico City, DF, Mexico;
CINVESTAV, SEES, Mexico City, DF, Mexico;
Junctionless nanowire transistor; Compact model; Temperature;
机译:三重栅极连接MOSFET紧凑型造型,用于宽温度范围内精确电路设计
机译:用于三栅极连接MOSFET的连续和对称跨电容紧凑型模型
机译:用于纳米级无结三栅极纳米线MOSFET的3-D紧凑模型,包括量化效应的简单处理
机译:改编三栅极无结MOSFET分析紧凑型模型以在宽温度范围内进行精确电路设计
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:具有实际门延迟模型的CMOS组合逻辑电路的准确动态功率估算
机译:热载体老化对三栅交叉MOSFET性能的影响