A global parameters extraction technique to model organic field effect transistors output characteristics

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A global parameters extraction technique to model organic field effect transistors output characteristics

机译：用于模拟有机场效应晶体管输出特性的全局参数提取技术

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《Solid-State Electronics 》 |2019年第2期| 81-92| 共12页
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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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