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机译:非晶态InGaZnO薄膜晶体管在氧气和湿气中的光照稳定性
Shanghai Jiao Tong Univ, Dept Elect Engn, Shanghai 200240, Peoples R China;
Amorphous InGaZnO; Thin film transistor; Light-illumination stability; Ambient gases;
机译:具有不同含氧活性层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的热稳定性
机译:直流溅射非晶InGaZnO薄膜晶体管在正偏置应力下氧气流量对不稳定性的影响
机译:与氢化非晶硅薄膜晶体管相比,非晶$ hbox {InGaZnO} _ {4} $薄膜晶体管的双栅特性
机译:用于柔性器件应用的非晶InGaZnO薄膜晶体管的低温(150°C)湿氧退火
机译:非晶硅薄膜晶体管和电路的稳定性。
机译:氧含量对底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管电流应力诱导的不稳定性的影响
机译:在具有各种有源层厚度的无定形Ingazno薄膜晶体管中探索光吞蓄电流和光突出的负偏置不稳定性
机译:氧退火下导电非晶Ru-si-O薄膜的稳定性