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机译:MOCVD生长具有AlN栅介质的4H-SiC MIS电容器的电性能
Univ Iceland, Sci Inst, IS-107 Reykjavik, Iceland;
Chalmers Univ Technol, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden;
Univ Educ Lahore, Dept Phys, Dera Ghazi Khan Campus, Dg Khan 32200, Pakistan;
Linkoping Univ, Dept Phys Chem & Biol IFM, Semicond Mat Div, SE-58183 Linkoping, Sweden;
MIS capacitors; Gate dielectrics; AlN/4H-SiC interface;
机译:湿法生长环境中具有栅介电特性的锗MOS电容器的改进电性能
机译:退火环境对带有Pt栅电极和HfO_2栅介质的Ge金属氧化物半导体电容器的结构和电性能的影响
机译:射频等离子体超浅离子注入对具有SiOx / HfOx和SiOxNy / HfOx双栅介电叠层的4H-SiC MIS结构电性能的影响
机译:用MBE在4H-SiC基板上产生的ALN栅极绝缘体的MIS电容器的电气特性
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:原子层沉积在InP上生长的HfAlO栅介质的能带偏移和界面性质
机译:mOCVD生长镨硅酸盐超薄栅介质的结构和电学性能