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机译:diF-TES-ADT场效应晶体管中的偏置应力效应
Gachon Univ, Dept Elect Engn, Seongnam 13120, South Korea;
Organic field-effect transistors; DiF-TES-ADT; Bias stress; Contact resistance; Device physics;
机译:基于自组装单层纳米电介质的有机场效应晶体管的偏置应力效应
机译:通过在漏电极/半导体界面处构造电子注入屏障来提高P型有机场效应晶体管的偏压稳定性
机译:基于高序液晶的固溶有机场效应晶体管的偏置应力表征
机译:非晶InGaZnO薄膜晶体管中高温负偏压引起的异常跨导增强效应
机译:关于偏压应力施加对非晶铟 - 镓 - 锌 - 氧化锌薄膜晶体管的可逆效应
机译:具有埋沟道层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏压应力稳定性
机译:与微观弹性单晶场效应晶体管的接触电阻,栅极偏置依赖性场效应迁移率和短信效应的详细表征
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。