机译:GaAs在磁场中的束缚和共振施主态的计算
Lund Univ, FTT, Dept Phys, S-22362 Lund, Sweden;
III-V semiconductors; inpurities in semiconductors; resonant states; lifetime; Landau levels; ENERGY-LEVELS;
机译:与层平行施加磁场的GAAS / GAALASs多量子阱中浅层施主杂质态的理论计算
机译:GaAs / Ga1-xAlx半导体量子阱中与电离施主杂质结合的激子在磁场中的稳定性
机译:磁场对GaAs / Ga1-xAlxAs和CdTe / Cd1-xZnxTe半导体量子阱中与电离施主杂质结合的激子的影响-艺术。没有。 085304
机译:1S状状态结合能量与GaAs / AlaS型XZ谷的供体杂质的能量有均匀施加的磁场
机译:InGaAs量子柱中的太赫兹吸收和砷化铟/砷化镓量子点中的电磁场的激子调谐。
机译:倾斜电场和磁场作用下圆柱GaAs-AlxGa1-x As量子点与施主杂质相关的光学和电子性质
机译:高磁场下GaAs中供体结合的激子的傅里叶变换光致发光光谱
机译:高磁场下重掺杂Gaas / alGaas单量子阱中强共振子带间磁极化效应