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机译:弹性各向异性对堆叠InAs / GaAs量子点纳米结构中应变场和能带边缘的影响
Seoul Natl Univ, Sch Mat Sci & Engn, Seoul 151742, South Korea;
quantum dot; confinement potential; strain; anisotropy; FINITE-ELEMENT; ELECTRONIC-STRUCTURE; LAYER STRUCTURES; INAS ISLANDS; GAAS; GROWTH; SUPERLATTICES; INTERFACES; RELAXATION; POTENTIALS;
机译:间隔层的厚度和弹性各向异性对InAs / GaAs锥形量子点的应变场和能带边缘的影响
机译:堆叠周期不同的InAs / GaAs纳米结构中截短和不截短量子点的应变场比较
机译:垂直堆叠的InAs / GaAs量子点纳米结构在不同堆叠周期下的应变修正约束势分析
机译:在GaAs(001)上制造100个层堆叠的InAs / GaNAs应变补偿量子点,以应用于中频带太阳能电池
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:通过自组织各向异性应变工程在InGaAsP / InP(100)上的波长控制的多层堆叠线性InAs量子点阵列:自排序量子点晶体
机译:Inas / Gaas堆积量子点和多量子阱中应变弛豫对拉曼光谱的影响