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机译:掺锌GaN和InN中弹性常数的压力依赖性及其对立方InGaN / GaN量子阱中发光压力系数的影响
Laboratory of Semiconductors, Unipress, High Pressure Research Center, Polish Academy of Sciences, ul. Sokolowska 29, 01142 Warsaw, Poland;
A. Quantum wells; A. Semiconductors; D. Elasticity; D. Optical properties;
机译:掺锌GaN和InN中弹性常数的压力依赖性及其对立方InGaN / GaN量子阱中发光压力系数的影响
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