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机译:磁迁移测量在AlGaN / GaN二维电子气中的散射时间
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 YuTian Road, Shanghai 200083, People's Republic of China;
A. Quantum well; D. Two-dimensional electron gas; D. Magnetoresistance;
机译:高密度AlGaN / AIN / GaN二维电子气中导电沟道和自旋分裂的磁传输研究
机译:二维电子气与三维Al梯度层平行的AlGaN / GaN异质结构的磁输运研究:错误的空穴类型确定
机译:AlGaN / AIN / GaN异质结构中二维电子气的磁输运性质
机译:磁通量测量升降 - AlGaN中极化掺杂3D电子板的有效质量,量子散射时间和合金散射电位
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:简单平行传导提取法提取AlGaN / GaN中二维电子的体相关参数散射分析
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。