机译:在非理想肖特基触点上可能进行自旋注入
Chair for Applied Physics, Faculty of Civil Engineering, University of Maribor, Smetanova ulica 17, 2000 Maribor, Slovenia;
A. Metal-semiconductor interface; D. Tunneling; D. Spin injection;
机译:二维铁磁体/半导体过渡金属二硫化碳触点:p型肖特基势垒和自旋注入控制
机译:自旋注入Au / Mn_5Ge_3 / Ge(111)肖特基接触的势垒高度和界面特性
机译:将电自旋注入Si:Fe / si肖特基和Fe / al_2o_3隧道触点之间的比较
机译:铁磁性/半导体肖特基触点旋转偏振电流的喷射和检测
机译:蒙特卡罗模拟半导体异质结构中的自旋极化传输和通过肖特基势垒的自旋注入。
机译:铁磁体/ Ge肖特基隧道接触的自旋吸收效应
机译:在非理想的肖特基接触处可能的自旋注入
机译:碳纳米管肖特基二极管,采用Ti-schottky和pt欧姆触点,适用于高频应用