机译:Ga_(1-x)In_xN / GaN异质结构中的合金效应
Laboratoire Pierre Algrain-Ecole Normale Superieure, Departement de Physique, 24, rue Lhomond, 75005 Paris, France;
A. Nanostructures; A. Nitride alloy; C. virtual crystal approximation;
机译:Al_(1-y)In_yN / Ga_(1-x)In_xN异质结构中的子带间能量,其晶格常数接近a_(GaN)
机译:Ga_(1-x)In_xN / GaN量子阱结构的发射和复合特性,通过V形凹坑抑制了非辐射复合
机译:在GaN子层上生长的Ga_(1-x)In_xN薄层中的应变松弛
机译:使用大型辐射设施弹簧-8的X射线微沟,单GA_(1-x)in_xn / gaN量子壳的局部结构评估
机译:合金和异质结构硅(1-x)锗(x)纳米线的尺寸效应。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:$ Al_ {x} Ga_ {1-x} N / GaN $超晶格中的电荷极化效应和$ HOLE $光谱特性