...
机译:通过聚焦离子束铣削制备的AlGaInP激光二极管的蚀刻小平面和半导体/空气DBR小平面
Semiconductors and State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Research Center for Wide Band-Gap, Peking University, Beijing 100871, People's Republic of China;
A. semiconductors; B. nanofabrications; D. optical properties;
机译:聚焦离子束蚀刻的氮化物/空气DBR作为紫色InGaN / GaN多量子阱激光二极管的腔镜面
机译:化学辅助离子束刻蚀面的连续波蓝色半极性(2021)Ⅲ-氮化物激光二极管内部损耗和注入效率的测量和分析
机译:630 nm波段横模稳定的AlGaInP激光二极管的大功率工作,其电流阻挡区域靠近刻面
机译:氯气反应性离子束刻蚀刻蚀带面镜的GalnAsP / l短腔激光二极管
机译:非平行蚀刻面二极管激光器阵列:结构分析和表征。
机译:无线电频率等离子体增强反应磁控管在光子晶体上激光沉积α-SiNx的激光二极管用于端面钝化
机译:在大功率980 nm半导体二极管激光器中直接测量刻面温度,直至熔点和COD
机译:具有干蚀刻垂直面和抛物面偏转镜的表面发射alGaas二极管激光器的高量子效率单片阵列。 (重新公布新的可用性信息)