机译:自组装InAs / GaAs量子点以1.3μm发射的能级结构的光反射研究
Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland;
A. Quantum dots; C. Photoluminescence; C. Photoreflectance;
机译:自组装InAs / GaAs量子点的形成,其在1.3μm处发射,然后进行光反射光谱
机译:1.3和1.5μm发光二极管基于GaAs的InAs / InGaAs和InAs /(Ga,In)(N,As)自组装量子点的比较研究
机译:1.3和1.5μm发光二极管GaAs基InAs / InaAs和Inas /(Ga,As)自组装量子点的比较研究
机译:INAS / GAAS自组装量子点中的能级的深度瞬态瞬态光谱研究
机译:原子力显微镜研究了自组装量子点的静电环境和能量水平
机译:1.3μmInAs / GaAs自组装量子点激光器的热效应和小信号调制
机译:自组装Inas / Inp量子点的电子结构:a 与自组装Inas / Gaas量子点的比较