机译:四元合金AlxGa1-xSbyAs1-y的主能带隙
Kyonggi Univ, Dept Phys, Suwon 440760, South Korea;
conductors; alloys; electronic states; LATTICE-CONSTANT; ALGAASSB; INAS;
机译:四元合金InxGayAl1-x-yN的带隙能量模型的改进的简化相干势近似
机译:四元Co_2(Mn_xTi_(1-x))Ge Heusler合金的费米能级下的电荷转移和可调少数带隙
机译:立方AlxGayIn1-x-yN四元合金的粘结性能和能带隙
机译:作为组成的函数的季氧化物Ga_(1-y)inyasxsb_(1-x)/ Inas合金的带空隙和带边的演变
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:尺寸受限的固定成分和依赖成分的工程带隙合金化在L-半胱氨酸封端的四元CdZnTeS量子点中诱导了不同的内部结构
机译:电气和扩大参数的温度依赖性气体隙的膨胀参数和Ga1-XinxasysB1-Y / Gasb(0.07 <〜x〜0.22,0.05 <〜Y <〜0.19)使用红外光反射的季合金
机译:III / V四元合金固相混溶间隙的理论和实验研究。进展报告,1987年4月1日 - 1989年6月2日。